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社会经济的快速发展促进了现代化科学技术的不断进步，为此，集成技术水平不断提升。器件尺寸不断缩小，这就对硅衬底片质量方面的要求进一步提升。硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子等会严重影响器件性能，清洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造中总损失的一半。因此对硅抛光片在表面质量方面的要求越来越严格。对集成电路而言，制程过程中约需经过40道清洗工艺，清洗是属于半导体制程当中必不可少且至关重要的步骤，而超超声技术在清洗过程中的应用非常重要。
硅片清洗技术原理
分析硅片生产工艺当中，其通常要经过切片、倒角、研磨以及抛光等多项工艺流程的加工生产，这就造成了硅片表面会受到十分严重的污染，清洗主要针对的是硅片晶片表面。污染物吸附在硅片的表面上，通常情况下可以被划分成为三种主要类型：
1、有机物污染物：针对这种类型的污染物进行清理，首先需要进行有机试剂对其表面进行溶解清洗，并充分利用超声技术进行清洗。
2、颗粒污染物：采用物理方式进行清洗，其中对机械的清洗可以采用超声技术，并在此基础上利用超声技术可以有效清除≤0.2μm的颗粒状污染物。
3、金属离子类污染物：针对这种类型的污染物进行技术清理主要需要采用化学方式进行清除。除此之外，还可以通过超声波进行振动清除，另外辅助速湿法完成清除。采用超声波技术处理方法需要通过蒸汽漩涡完成冲击工作，这个过程中振动会发生在液体当中并形成气泡，这些气泡能够快速爆裂并形成摩擦，这样能够通过气涡去除掉一些颗粒。
超声清洗在这个过程中主要也起到辅助作用，但是需要听过借助于另一种机理完成。通过结合流体力学理论当中相关内容可以发现，表面固体以及液体之间的始终处在一种缓慢移动的过程中，这种条件下一些颗粒可能会在化学试剂当中表现出顽固属性，很难被清除掉。
超声清洗工艺技术分析
超声主要是指频率范围达到500khz-499ghz声波。这种类型声波清洗技术的工艺原理主要是通过声压梯度以及粒子速度等的综合作用，其中空化效应产生的作用为次要。通过高能频振配合化学试剂完成对半导体硅片清洗。通过超声技术进行清洗则因为频率较高造成了声波无法再试剂当中产生空化效果，清洗过程中也就不能够生成气泡。但是，采用超声清洗技术能够通过高频声波产生的能量将实际当中的液体以高速微水流完成对硅片表面的冲洗。进而能够令污染物见表面粘附着的颗粒污染物以及直径小于0.2μm的污染物被强制性的冲刷掉。超声清洗的颗粒去除度与声波流的空穴作用、气体溶解度和振荡效应都有关系。为了达到清洗目的，也常使用表面活性剂，使粒子不再沉淀在表面上，可见超声清洗技术的实际效果更加明显。
综上所述，在集成电路的工序与流程当中，占据相当比重的 工作内容就是包含超超声的清洗。因为工艺技术当中对最终表面 提出的要求并不相同，为此清洗使用的技术方法之间也存在差异性。硅片清洗过程中主要采用的是超声以及超声技术，这项技术的使用对期间生产以及性能具有重要保护作用。
